CVD管式爐

更新時(shí)間： 2024-08-27

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產(chǎn)品報(bào)價(jià)：

產(chǎn)品簡(jiǎn)介： CVD管式爐設(shè)備由沉積溫度控件、沉積反應(yīng)室、真空控制部件和氣源控制備件等部分組成亦可根據(jù)用戶需要設(shè)計(jì)生產(chǎn)，CVD系統(tǒng)除了主要應(yīng)用在碳納米材料制備行業(yè)外，現(xiàn)在正在使用在許多行業(yè)，包括納米電子學(xué)、半導(dǎo)體、光電工程的研發(fā)、涂料等領(lǐng)域。

詳細(xì)資料：

CVD管式爐此款CVD生長系統(tǒng)適用于CVD工藝，如碳化硅鍍膜、陶瓷基片導(dǎo)電率測(cè)試、ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、陶瓷電容（MLCC）氣氛燒結(jié)等實(shí)驗(yàn)。

產(chǎn)品組成：

此款CVD系統(tǒng)配置：

1.1200度開啟式真空管式爐（可選配單溫區(qū)、雙溫區(qū)）。

2.多路質(zhì)量流量控制系統(tǒng)

3.真空系統(tǒng)（可選配中真空或高真空）

CVD管式爐產(chǎn)品特點(diǎn)：

1 控制電路選用模糊PID程控技術(shù)，該技術(shù)控溫精度高，熱慣性小，溫度不過沖，性能可靠，操作簡(jiǎn)單。

2 氣路快速連接法蘭結(jié)構(gòu)采用本公司*的知識(shí)產(chǎn)權(quán)設(shè)計(jì),提高操作便捷性。

3 中真空系統(tǒng)具有真空度上下限自動(dòng)控制功能，高真空系統(tǒng)采用高壓強(qiáng)，耐沖擊分子泵防止意外漏氣造成分子泵損壞，延長系統(tǒng)使用壽命。

技術(shù)參數(shù)：

系統(tǒng)名稱	1200℃單/雙溫區(qū)CVD系統(tǒng)
系統(tǒng)型號(hào)	CVD-12II-3Z/G	CVD-12II6-3Z/G
極限溫度	1200℃
加熱區(qū)長度	420mm	600mm
恒溫區(qū)長度	280mm	390mm
溫區(qū)	雙溫區(qū)	雙溫區(qū)
石英管管徑	Φ50/Φ60/Φ80mm	Φ80/Φ100mm
額定功率	3.2Kw	4.8Kw
額定電壓	220V
溫度控制	國產(chǎn)程序控溫系統(tǒng)50段程序控溫；
控制精度	±1℃
爐管極限工作溫度	＜1200℃
氣路法蘭	密封法蘭與管件連接的地方采用多環(huán)密封技術(shù)，在密封法蘭與管外壁間形成了密封，在管件外徑誤差較大的情況下密封仍然有效，該密封法蘭的安裝只需在*使用設(shè)備的時(shí)候安裝
氣體控制方式	質(zhì)量流量計(jì)
氣路數(shù)量	3路（可根據(jù)具體需要選配氣路數(shù)量）
流量范圍	0-500sccm(標(biāo)準(zhǔn)毫升/分，可選配）氮?dú)鈽?biāo)定
精度	±1%F.S
響應(yīng)時(shí)間	≤4sec
工作溫度	5-45℃
工作壓力	進(jìn)氣壓力0.05-0.3Mpa(表壓力）
系統(tǒng)連接方式	采用KF快速連接波紋管、高真空手動(dòng)擋板閥及數(shù)顯真空測(cè)量?jī)x
規(guī)格	高真空
系統(tǒng)真空范圍	1x10-3Pa-1x10-1Pa
真空泵	真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1200L/S額定電壓220V 功率2KW	真空分子泵理論極限真空度5x10-6Pa抽氣速度1600L/S額定電壓220V 功率2KW


爐體外形尺寸	340×580×555mm	480×770×605mm
系統(tǒng)外形尺寸	530x1440x750mm(不含高真空)
系統(tǒng)總重量	330kg